PN结的击穿现象主要发生在强反向电压下。当施加在PN结上的反向电压增大到某一数值时，反向电流会急剧增大，这种现象被称为PN结的击穿。被击穿的原理涉及

判断发射结是否处于正偏状态可以通过以下步骤进行：1. 了解晶体管的结构。晶体管有三个区域：发射区、基区和集电区。发射区和基区之间的接触界面被称为